Indium Corp fournit désormais des poudres d'acétylacétonate de gallium

L'acétylacétonate de gallium, souvent abrégé en Ga(acac)3, est un complexe de coordination organométallique (un composé constitué d'un atome métallique lié à des molécules organiques appelées ligands, souvent par l'intermédiaire d'atomes de carbone.). Il se compose d’un atome de gallium au centre, coordonné avec trois ligands acétylacétonate.

Les ligands sont des molécules ou des ions qui forment des liaisons de coordination avec un atome métallique central dans un complexe de coordination organométallique ou un composé de métal de transition. Ces liaisons impliquent le don de paires d'électrons du ligand à l'atome métallique. Les ligands jouent un rôle crucial dans la stabilisation du complexe et dans l'influence de ses propriétés. L'acétylacétonate est un ligand bidenté, ce qui signifie qu'il forme deux liaisons avec l'atome central de gallium. Ce complexe est connu pour sa stabilité et sa polyvalence, ce qui le rend utile dans diverses applications. En chauffant et en décomposant Ga(acac)3, il peut être utilisé pour créer une forme d’oxyde de gallium en couche mince très pure et uniforme, connue sous le nom de Ga2O3. L'oxyde de gallium est un matériau important en électronique et en optoélectronique en raison de sa large bande interdite (~ 4,8 eV), ce qui signifie qu'il peut gérer efficacement des tensions et des températures élevées. Cela le rend adapté aux applications en électronique de puissance.

Ga(acac)3 peut être combiné avec du soufre pour synthétiser des points quantiques de sulfure de gallium (Ga2S3 QD). Ces points quantiques ont une bande interdite spécifique d’environ 3,30 eV. Les points quantiques Ga2S3 sont utilisés dans les applications photoniques et optoélectroniques, telles que les diodes électroluminescentes (DEL), les cellules solaires et les capteurs, en raison de leurs propriétés optiques réglables. Ga(acac)3 peut également être utilisé pour créer des points quantiques d'autres matériaux, tels que l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure de gallium-indium (GaInP). Ces matériaux ont des applications potentielles en photonique quantique, qui implique la manipulation et le contrôle de la lumière au niveau quantique.

Ga(acac)3 peut constituer une alternative plus sûre au triméthylgallium (TMG) dans les processus de dépôt à haute température. Le TMG est souvent utilisé dans le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) pour la croissance de couches minces. Dans la fabrication d'écrans, le TMG est vaporisé puis transporté vers un substrat, où il réagit avec d'autres produits chimiques pour former un mince film de gallium. Ce film de gallium est ensuite utilisé pour créer la couche active de la LED. Mais il est pyrophorique (inflammable dans l'air) et nécessite une manipulation prudente. Ga(acac)3 est thermiquement stable et ne présente pas les mêmes risques, ce qui le rend plus facile à manipuler. Sa forme de poudre cristalline ajoute également à sa sécurité et à sa facilité d'utilisation par rapport au TMG liquide.

Indium Corporation propose du Ga(acac)3 de haute pureté, à partir de 99,99 %. Ce haut niveau de pureté garantit des résultats cohérents et fiables dans diverses applications. La société affirme pouvoir également adapter les propriétés du Ga(acac)3 pour répondre aux besoins spécifiques de ses clients, en optimisant ses caractéristiques pour différentes applications.